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2N2609

InterFET

半导体分离式半导体

jfet jfet p-channel

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2N2609的详细信息

ManufacturerInterFET
Product CategoryJFET
RoHSYes
Transistor PolarityP-Channel
Drain-Source Current at Vgs=04.5 mA
Vds - Drain-Source Breakdown Voltage10 V
Vgs - Gate-Source Breakdown Voltage30 V
ConfigurationSingle
Pd - Power Dissipation2 mW
Mounting StyleThrough Hole
Package / CaseTO-18
BrandInterFET
Ciss - Input Capacitance7 pF
Forward Transconductance - Min25 mS
Gate-Source Cutoff Voltage4 V

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  • 25004.23
  • 5000Quote