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产品LMG1210TI
描述

LMG1210 是一款 200V 半桥高性能氮化镓场效应晶体管 (GaN FET) 驱动器,专为要求高开关速度、最短死区时间以及高效率的 应用 而设计。当使用较高的辅助电压时,驱动电压由内部 LDO 精确控制至 5V。LMG1210 GaN 驱动器经精心设计, 应用中 ,并 具有 可提供超高频可调节死区时间功能、极短的传播延迟以及 1.5ns 高侧/低侧匹配,以优化系统效率。

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